Công nghệ 3D V-NAND mở rộng dung lượng lưu trữ Sản xuất trên công nghệ 3D V-NAND của SAMSUNG là bước tiến vượt bậc về kiến trúc bộ nhớ Flash bằng việc tăng mật độ, hiệu suất và giới hạn chịu đựng so với ổ SSD NAND thông thường. Công nghệ 3D V-NAND sắp
lớp tế bào Cell theo chiều dọc từ đó tăng mật độ Cell cao hơn và tăng dung lượng lên 4 TB